SK海力士否認收購英特爾俄亥俄州晶圓廠傳聞 雙方回應與供應鏈佈局一次看

針對韓國媒體報導「SK海力士正與英特爾談判收購其位於美國俄亥俄州的新建晶圓廠」一事，SK海力士於2026年7月22日正式發布聲明否認。該公司透過發言人管道表示，目前沒有收購相關廠區的計畫。英特爾方面則回應，不對媒體關於未來商業協議的猜測發表評論，並強調將繼續推進俄亥俄州的廠房建設項目。

這起收購傳聞最早源自韓國《中央日報》。該報於7月22日清晨發布報導，引述匿名業內消息人士說法指出，SK海力士正在評估收購英特爾俄亥俄州半導體園區的可能性，雙方已展開談判。報導推測，此交易案的目的在於讓SK海力士未來五年內在美國本土建立動態隨機存取記憶體（DRAM）等存儲晶片的前段製造產能。不過，隨著SK海力士官方出面駁斥，該收購案目前並未獲得雙方企業的證實。

綜合現有資訊，該傳聞涉及兩家全球半導體巨頭的製造產能調整。SK海力士為全球第二大記憶體製造商，在高頻寬記憶體（HBM）領域掌握主要市場份額。英特爾則正積極推進其「IDM 2.0」戰略，試圖擴大晶圓代工業務規模。在當前全球半導體供應鏈重組的背景下，韓國企業在美國的投資動向，以及美國本土製造政策的推進進度，成為業界關注焦點。

俄亥俄州廠區背景與英特爾現況

英特爾位於美國俄亥俄州新奧爾巴尼的半導體園區，被稱為「Ohio One」項目。該廠區是英特爾近年來規模最大的製造投資計畫之一，於2022年正式動工。根據英特爾最初公布的規劃，園區佔地約1000英畝，第一期投資金額超過280億美元，原定建設兩座先進晶圓製造廠，未來最多可擴充至八座晶圓廠，預計創造約3000個直接工作機會。

然而，隨著半導體市場需求波動，加上英特爾自身的晶圓代工業務推進進程不如預期，該廠區的建設時間表經歷多次調整。2025年2月，英特爾對外宣布，俄亥俄州首座晶圓廠的完工時間將延後至2030年前後，正式投產時間預計落在2030年至2031年之間。與此同時，英特爾近期實施了組織調整、裁員與削減資本支出等成本控制措施，以應對營運壓力。

該廠區也是美國政府推動半導體製造回流的重要指標案例之一。根據美國商務部先前公布的資訊，英特爾俄亥俄州項目獲得《晶片與科學法案》最高約78.65億美元的直接資金補助。這筆資金旨在擴大美國本土的先進半導體製造能力。儘管建設進度延遲，英特爾在此次回應中重申，持續推進該園區建設的立場並未改變。

SK海力士的全球供應鏈佈局

針對SK海力士而言，擴大美國本土的製造與封裝產能，是其回應美國政策需求與降低地緣政治供應鏈風險的策略之一。目前，SK海力士在美國的實體投資主要集中在後段封裝領域。該公司正在美國印第安納州建設高頻寬記憶體（HBM）的先進封裝基地，該項目計畫投資約38.7億美元，預計於2028年投入營運。

在先進邏輯晶片與記憶體前段製造方面，美國政府近年持續向海外半導體企業招手。美國商務部官員曾多次公開呼籲，包含SK海力士、三星電子在內的韓國半導體企業，能進一步擴大在美國的投資規模。這也成為韓國媒體與市場頻繁關注SK海力士是否將透過併購或綠地投資方式，在美國建立前端晶圓廠的主要原因。

與此同時，韓國另一家半導體巨頭三星電子，目前正於美國德州泰勒市興建先進晶圓製造與研發設施。三星的投資案例顯示，海外企業在美國建立前端晶圓廠需要龐大的資本支出與長時間的建設週期。這與我們先前分析的三星電子新款平板與手機現身FCC所反映的三星集團硬體研發與製造進程，同屬該企業全球佈局的一環。

業界觀察指出，記憶體晶片的製造特性與邏輯晶片不同。DRAM等存儲產品的前段製程對於生產規模與成本效率的要求極高。若SK海力士選擇直接收購英特爾已開工的邏輯晶圓廠，不僅需要將廠房規格轉換為記憶體生產線，還需面對設備採購與技術轉換的龐大支出。考量到SK海力士目前已斥資約38.7億美元於印第安納州建立封裝產能，短期內再投入巨資收購並改建前端邏輯晶圓廠的機率相對較低。此次該公司透過發言人明確否認收購傳聞，也與其當前的資本支出規劃一致。

後續觀察重點

本次收購傳聞雖已被當事公司否認，但仍反映出美國半導體供應鏈重組過程中的現實挑戰。英特爾俄亥俄州廠區的建設進度延遲，顯示海外與本土企業在美國建立大規模晶圓廠時，普遍面臨建廠成本上升、人力招募困難與市場需求不確定性等問題。

針對韓國記憶體雙雄SK海力士與三星電子在美國的佈局，後續觀察重點在於企業如何分配前端製造與後段封裝的資本支出。韓國半導體企業與美國政府之間的補助談判進度，以及各廠商在美投資時程是否再次發生調整，將持續受到供應鏈與資本市場的關注。