東芝推出XL-FLASH 3D SLC NAND 讀取延遲小於5微秒


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第一批XL-FLASH部件將使用128Gb裸片,結構上可以分為16層,以支持比現有的面向容量的3D NAND部件更高程度的並行性,頁面大小為4KB,明顯小於大多數3D NAND的容量來得小,再加上XL-FLASH每個單元只存儲一位而不是三位或四位,因此我們預計它會比主流多層NAND的容量要小得多。

性能方面,由於採用了不同的結構,東芝表示讀取延遲將小於5微秒,相比之下,他們的3D TLC約為50微秒。東芝的XL-FLASH和三星的Z-NAND之間最明顯的差異可能最終形成不同的市場取向,三星將自己的Z-NAND用於自己的Z-SSD產品,但東芝的XL-FLASH將與3D TLC和QLC NAND一樣銷售。我們已經從一些SSD控制器供應商處聽說他們計劃在他們即將推出的控制器中支持XL-FLASH,當XL-FLASH開始進入市場時,SSD品牌應該會迅速跟進。

新一屆的閃存峰會將於明天在聖克拉拉拉開帷幕,東芝將首次發表主題演講。

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